超致MOS管這種產(chǎn)品，不是這個(gè)領(lǐng)域的聽上去有點(diǎn)陌生，在做電源、通訊、汽車電子等領(lǐng)域使用，那接下來帶你從原上了解超致MOS管，MOS管的英文全稱為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的絕緣柵型。因此，MOS晶體管有時(shí)被稱為絕緣柵FET。在一般電子電路中，MOS管通常用于放大電路或開關(guān)電路。

　　一、MOS管的結(jié)構(gòu)

　　在低摻雜濃度的p型半導(dǎo)體硅襯底上，通過半導(dǎo)體光刻和擴(kuò)散工藝制造兩個(gè)高摻雜濃度的n+區(qū)，兩個(gè)電極分別以金屬鋁作為漏極D和源極s引出。然后，在漏極和源極之間的p型半導(dǎo)體表面上覆蓋薄二氧化硅（Si02）絕緣層膜，并在絕緣層膜上安裝鋁電極作為柵極G。這構(gòu)成了n溝道（NPN型）增強(qiáng)MOS晶體管。顯然，其柵極與其他電極絕緣。A和B分別是其結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。

　　使用與上述相同的方法，在低摻雜濃度的n型半導(dǎo)體硅襯底上通過半導(dǎo)體光刻和擴(kuò)散工藝，以及與上述相同的柵極制造工藝，制備了兩個(gè)高摻雜濃度的p+區(qū)，制備了p溝道（PNP型）增強(qiáng)MOS晶體管。顯示了n溝道和p溝道MOS管的結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。

　　二、MOS管的工作原理

　　在增強(qiáng)型MOS管的漏D和源s之間有兩個(gè)背靠背PN結(jié)。當(dāng)柵極源極電壓vgs=0時(shí)，即使有漏源極電壓VDS，在反向偏置狀態(tài)下也一直存在PN結(jié)，并且漏極和源極之間沒有導(dǎo)電通道（沒有電流流動(dòng)），因此此時(shí)漏電流id=0。

　　這時(shí)，如果在柵極和源極之間施加正向電壓，即vgs>；0時(shí)，在柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中產(chǎn)生電場(chǎng)，柵極指向p型硅襯底。由于氧化層是絕緣的，電網(wǎng)施加的電壓VG不能形成電流，并且在氧化層的兩側(cè)形成電容器。VGS相當(dāng)于對(duì)該電容器充電并形成電場(chǎng)。隨著VG逐漸增加，它被柵極的正電壓吸引，在電容器的另一側(cè)，大量電子聚集并形成從漏極到源極的n型導(dǎo)電通道。當(dāng)VGS大于管的開路電壓Vt（通常約2V）時(shí)，n通道管開始傳導(dǎo)并形成漏電流ID。當(dāng)通道開始形成開路電壓時(shí)，我們稱之為柵極源極電壓，通常用Vt表示，控制柵極電壓VGS的大小會(huì)改變電場(chǎng)的強(qiáng)度，這可以達(dá)到控制漏電流ID大小的目的。這也是利用電場(chǎng)控制電流的MOS管的一個(gè)重要特性，因此也稱為場(chǎng)效應(yīng)管。

　　三、MOS管引腳測(cè)量

　　柵極g測(cè)量：使用萬用表r&；次數(shù)；在100檔，測(cè)量任意兩個(gè)針腳之間的正向和反向電阻。如果一次測(cè)量的電阻為數(shù)百Ω），則兩個(gè)引腳為D和s，第三個(gè)引腳為g 。

　　漏極D、源s和類型確定：使用萬用表r&；次數(shù)；測(cè)量10KΩ檔位D和s的正負(fù)電阻，正電阻約為0.2安培；次數(shù)；10KΩ，反向電阻（5-1∞) x100kΩ。測(cè)量反向電阻時(shí)，紅色導(dǎo)線不移動(dòng)，黑色導(dǎo)線與觸針分離，接觸g，然后返回到原始觸針。有兩種情況：

　　A、如果讀數(shù)從原來的較大值變?yōu)?（0×10KΩ），則紅色探針連接到s，黑色探針為d、用黑色探針接觸g是有效的，因此MOS管d和s之間的正向和反向電阻值為0Ω，這也可以證明管子是一個(gè)n通道。

　　B、如果讀數(shù)仍然很大，而黑色探針沒有移動(dòng)，則使用紅色探針接觸g，觸摸后立即返回到原始腳。此時(shí)，如果讀數(shù)為0Ω，則黑色探針連接到S極，紅色探針連接到D極。將G極與紅色探針接觸是有效的，并且MOS管是P通道。

　　G極，不用說，很容易識(shí)別；

　　S極，無論是P通道還是n通道，都是兩條線相交的地方；

　　D極，無論是P通道還是n通道，都是獨(dú)立引線的一側(cè)。通常，散熱器與漏極相連；

　　確定電網(wǎng)G：將萬用表轉(zhuǎn)到r&；時(shí)代；1K檔，將萬用表負(fù)極連接到任何電極上，另一支表筆依次接觸其他兩極以測(cè)量其電阻。如果兩個(gè)測(cè)量的電阻值大致相等，則負(fù)極探針接觸柵極，其他兩個(gè)電極為漏極和源極。排水管和水源互換。如果兩次測(cè)量的電阻較大，則為n通道；如果兩次測(cè)量的電阻值很小，則為P通道。

　　判斷源S和漏D：源和漏之間存在PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正向和反向電阻之間的差異，可以識(shí)別s和D極。使用交換探針法測(cè)量?jī)纱坞娮?，其中電阻值低（通常為?shù)千歐姆至數(shù)萬歐姆）的電阻為正電阻。此時(shí)，黑色探針是S極，紅色探針連接到D極。

　　四、如何快速判斷MOS管

　　1、的質(zhì)量和引腳性能。使用10K齒輪，內(nèi)部配有15伏電池?？梢蕴峁﹤鲗?dǎo)電壓。

　　2、由于柵極相當(dāng)于電容器，并且沒有連接到任何引腳，因此很容易找到柵極，無論是n管還是P管，否則它是一個(gè)壞管。

　　3、使用探針正向或反向?qū)艠O源充電，這可以使漏極源打開或關(guān)閉。因?yàn)闁艠O上的電荷可以保持，上述兩個(gè)步驟可以按順序劃分，不同步，也不方便。然而，放電時(shí)有必要將引腳短路或反向充電。

　　4、大多數(shù)源極和漏極都有反并聯(lián)二極管，這應(yīng)該引起注意并幫助判斷。

　　5、當(dāng)大多數(shù)二極管面對(duì)文字時(shí)，左側(cè)電網(wǎng)泄漏右側(cè)電源。以上前三點(diǎn)需要掌握，后兩點(diǎn)可以靈活使用，以便快速判斷引腳。

　　綜合以上內(nèi)容，對(duì)超致MOS管這個(gè)產(chǎn)品，相信很多人有了一個(gè)大概的了解。